半导体材料(1990s~)：砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；GaAsAl、GaAsP；Ge-Si、GaAs-GaP；
20世纪九十年代以来,随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和和互联网快速兴起，而硅材料的物理性质限制了其在光电子和高频功率器件上的应用，例如其间接带隙决定了他难以获得更高的电光转换效率。
以砷化镓、磷化铟为代表的第二代化合物半导体材料开始得到应用，主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。
还被广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。相比于第一代半导体，砷化镓（GaAs）能够应用在光电子领域，尤其在红外激光器和高亮度的红光二极管等方面。
非晶态半导体：非晶硅、玻璃态氧化物半导体、有机半导体
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