隐形激光切割技术对传统硅(Si)基芯片产业也是最理想的选择
经过了长足的发展历程,硅基半导体的精密加工技术和电路形成工艺几乎到达材料的特性极限。为了提高运算速度,芯片本身也在向微细化,立体化发展。具备复杂集成运算能力的【图像处理芯片(GPU)】和【中央处理器芯片(CPU)】是典型的代表产品。其复杂程度代表了人类半导体工业的最前沿。
GPU/CPU具有构造复杂,尺寸较大,产品价值高等重要特征,硅基半导体材料仍然是其主要材料,晶圆的尺寸也在从300mm向450mm发展。第三代半导体材料的替代进程,还受制于工艺成熟度和制造成本两方面的影响。目前还无法取代硅基半导体材料。
长期以来,硅基半导体晶圆依赖【钻石滚刀】的机械切割法进行分割。这种分割法需要大量的纯水进行冷却还需要二氧化碳注入生成DI水,以消除静电危害。切割后的废水还需要经过处理。而激光隐形切割法相比刀片切割,其切割路径窄,单一晶圆的芯片产量更高,且完全不需要水及其他耗材。
隐形激光切割技术对于高度复杂化,立体化工艺的新型GPU和CPU产业是最佳的选择。