江苏通用半导体有限公司（原：河南装备有限公司，下文简称“通用半导体”）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研设备（碳化硅晶锭激光剥离设备）成功实现剥离出130um厚度超薄sic晶圆片。
通用半导体自设立以来，一直在高端领域深耕，并专注于激光隐切设备的研发和产业化应用，励志成为全球领先的激光微纳加工装备制造商。
在融资方面，通用半导体在2021年8月和2023年8月分别完成天使轮和A轮融资，投资方包括天演基金、拉萨楚源、浑璞投资、东北证券、鼎心资本等机构。
在产品方面，通用半导体于2020年研发出国内首台半导体激光隐形切割机；2022年成功推出国内首台18纳米及以下SDBG激光隐切设备（针对3DMemory)；2023年成功研发国内首台8英寸全自动SiC晶锭激光剥离产线；2024年研制成功SDTT激光隐切设备（针对3DHBM）。
值得一提的是，2024年4月，通用半导体自主研发的8英寸碳化硅（SiC）晶锭激光全自动剥离产线已完成交付。
通用半导体表示，随着公司激光隐切设备产品覆盖度持续提升，市场应用规模的不断扩大，且公司持续保持高强度的研发投入，迭代升级各产品系列，满足客户在技术节点更新迭代过程中对高产能及更严格的技术性能指标的需求。
图：8英寸SiC晶锭激光全自动剥离设备
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