晶圆切割_隐形切割_晶圆激光切割设备_半导体晶圆切割

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SDBG工艺装备

HGL Series

SDBG设备介绍（工艺介绍）

HGL1352系列隐形激光切割装备是国内首台具备量产能力，且获得先进封装企业认可的SDBG装备。是半导体先进封装的SDBG工艺过程中必不可少的高精度晶圆衬底内部隐裂纹加工设备。集成了公司的核心激光技术及一系列先进工艺技术诀窍，在核心技术上取得了多项重大突破。

• 产品全系采用自主研发的高性能激光器及光学系统

• 采用优异的散射控制技术，确保隐裂纹诱导的精度

• 超高精密气浮式高速平台

• 采用 Load port+6 轴机械臂进行上/下料及晶圆搬运

• 切割过程中实时补偿、实时纠偏

HGL1352系列隐形激光切割装备能够精确的在晶圆衬底内部进行改质并诱导产生优质的内部隐裂纹（BHC）以保障后续的晶圆减薄分割工序的质量可靠性，特别适用于先进存储，3D先进封装等超薄芯片的制造产业，可全面替代进口SDBG设备。

单焦点

晶圆激光隐形切割设备

适合晶圆

4吋~8吋

晶圆厚度

3μm~1000μm

焦点数量

1个

HGL1341系列

大尺寸单焦点

晶圆激光隐形切割设备

适合晶圆

4吋~12吋

晶圆厚度

3μm~1000μm

焦点数量

1个

HGL1351系列

适合材料

应用产业

单焦点隐形切割设备

多焦点

晶圆激光隐形切割设备

适合晶圆

4吋~8吋

晶圆厚度

3μm~1000μm

焦点数量

1.2.3.4个

HGL3341系列

多焦点大尺寸

晶圆激光隐形切割设备

适合晶圆

4吋~12吋

晶圆厚度

3μm~1000μm

焦点数量

1.2.3.4个

HGL3351系列

适合材料

应用产业

多焦点隐形切割设备

汎用型双焦点

大尺寸晶圆激光隐形切割设备

适合晶圆

4吋~12吋

晶圆厚度

3μm~1000μm

焦点数量

HGL2351系列

2个

适合材料

应用产业

双焦点隐形切割设备

外观

性能

HGL1352隐形激光切割装备，是全自主研发、设计的国产高性能隐形激光切割装备，针对以固态存储器为代表的先进工艺半导体封装产品。

设备型号	HGL1352
光路来源	自主设计
激光器来源	中国
激光器冷却方式	水冷
激光器质保	24000小时
激光器最大功率	>18W (@100KHz)
最大加工晶圆尺寸	12寸
切割轴有效行程	310mm
切割轴最大速度	1000mm/s
切割轴最大加速度	1.5G
切割轴直线度	1um
Index轴有效行程	310mm
Index轴定位精度	±1um
Z-轴重复定位精度	1μm
Θ轴最大旋转角度	120°
切割载台平整度	≤5μm
平台基座	大理石
切割平台（X/Y轴）	气浮高速平台
Wafer Notch识别方式	校准器
AF动态补偿	支持
AF测高方式	旁轴
光束整形	SLM
高/低倍影像识别	IR Camera
影像自动纠偏功能	支持

设备型号	HGL1352
光路来源	自主设计
激光器来源	中国
激光器冷却方式	水冷
激光器质保	24000小时
激光器最大功率	>18W (@100KHz)
最大加工晶圆尺寸	12寸
切割轴有效行程	310mm
切割轴最大速度	1000mm/s
切割轴最大加速度	1.5G
切割轴直线度	1um
Index轴有效行程	310mm
Index轴定位精度	±1um
Z-轴重复定位精度	1μm
Θ轴最大旋转角度	120°
切割载台平整度	≤5μm
平台基座	大理石
切割平台（X/Y轴）	气浮高速平台
Wafer Notch识别方式	校准器
AF动态补偿	支持
AF测高方式	旁轴
光束整形	SLM
高/低倍影像识别	IR Camera
影像自动纠偏功能	支持

应用

SDBG 装备所担当的工艺过程是半导体先进封装产业必不可少的“高精度晶圆衬底内部隐裂纹诱导加工”工艺制程，是半导体 3D 先进封装产业的最重要核心装备之一。在世界范围内先进半导体芯片的“2.5D 封装“ 和“3D 封装”集成技术是提升 IC 的性能 (速度)、功耗效率、成本效率的最重要手段，其代表封装形态有，PBGA, FC-PBGA, 3D BGA，3D 集成芯片堆栈等。

知财

SDBG 是 Stealth Dicing Before Grinding 的缩略简称，SDBG 工艺与传统晶圆切割流程的不同，在【晶圆减薄】前，先在晶圆内部利用隐形激光诱导制作出高精度的【内部隐裂纹】，然后再对晶圆进行减薄抛光，使晶圆在减薄到需要保留的厚度时，研磨抛光的应力可以恰到好处的促使内部隐裂纹定向扩展，使晶圆上的独立芯片自然分开，获得高品质的超薄芯片（如上图）。SDBG工艺的优势不仅是高效、安全，还可以让芯片更强（由于 SDBG 是在利用研磨减薄和抛光阶段让晶圆自然分开，可以完全释放掉由于切割造成的晶圆内部应力，不会出现传统切割无法避免的“崩边”、“龟裂”等质量风险，通过 SDBG 工艺获得的超薄芯片，比传统机械式切割工艺的DBG工艺的芯片强度高 30%以上），是国际上最先进、最安全，最高效的超薄晶圆分割技术。

SDBG 工艺的先进性和技术优势是需要结合诸如先进的隐形激光技术、多种复杂的装备制造技术、先进控制技术等系统工程才能保障其工艺效果,关键核心技术是：

1、如何精确控制隐形激光在晶圆衬底内部的散射，均匀稳定的形成改质层以精确诱导产生向附有电路层的晶圆正面发展，恰到好处的到达晶圆正表面。而此时晶圆不能分裂。

2、精准控制衬底内部的激光改质层深度，不能让改质层到达需要保留的芯片厚度的范围内（20~100μm）。

3、如何控制内部改质的应力强度及方向，保障隐裂纹的直线度，垂直度质量。

基于上述技术瓶颈，长期以来 SDBG 工艺装备一直被国际装备厂家所垄断，是国内的技术空白装备。

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TEL：400-136-9779

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